다이오드와 사이리스터(사이리스터)의 주요 차이점은 무엇입니까?
다이오드와 사이리스터는 모두 전류의 흐름을 제어하는 반도체 스위치이다. 민감한 장비를 제어하고 보호하기 위해 전원 공급 장치 및 기타 전자 회로에 사용되는 단방향 스위치입니다. 다이오드와 사이리스터는 둘 다 정류에 사용되며 사이리스터는 제어 된 다이오드라고 할 수있는 것과 같은 몇 가지 유사점을 공유합니다. 그러나 그들은 구조,작업,등급 및 응용 프로그램에 따라 서로 매우 다릅니다.
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- 트랜지스터와 사이리스터의 차이점은 무엇입니까?
다이오드와 사이리스터의 차이점 목록에 들어가기 전에 먼저 기본 사항을 논의 해 봅시다.
목차
다이오드
다이오드는 전류를 한 방향으로 만 허용하는 전자 스위치입니다. 그것은 주로 교류의 정류에 사용되는 제어되지 않은 단방향 스위치입니다. 그것에는 2 개의 반도체 층이 있고 양극과 음극선에게 불린 2 개의 맨끝이 있습니다. 그것은 양극에서 음극에 현재를 허용하고 음극에서 양극에 현재 교류를 막습니다.
다이오드는 반도체 재료의 두 층의 조합으로 만들어집니다. 에 연결된 단자 피-영역에 연결된 단자를 양극이라고 부르고 엔-영역에 연결된 단자를 음극이라고합니다. 이 영역 사이의 경계는 다음과 같습니다. 따라서 다이오드에는 1 개의 접점이 있습니다.
다이오드는 순방향 바이어스에서 전류를 전도하고 역 바이어스에서 전류를 차단합니다. 순방향 바이어스 상태에서 피-영역(양극)은 엔-영역(음극)보다 높은 전위(전압)에 연결됩니다. 반전 편향된 상태에서,음극은 양극 보다는 더 높은 전압에 연결됩니다.
피-영역은 대부분 반송파로서 정공을 가지며 엔-영역은 대부분 반송파로서 전자를 갖는다. 현재 흐름을 허용하지 않는 피엔 접합부 사이에 고갈 영역이 있습니다. 구멍은 양전하 또는 음전하의 부재이며 전자는 음전하입니다. 우리는 같은 요금이 격퇴하고 요금과는 달리 서로를 유치 것을 알고있다. 다이오드는 동일한 원리로 작동합니다.다이오드 바이어싱순방향 바이어스 상태에서,피-영역은+에 연결되고 엔-영역은 배터리의–단자에 연결된다. 배터리는 두 지역 사이에 매력을 일으키는 대부분의 전하 캐리어를 푸시합니다. 이 인력은 고갈 영역의 폭을 감소시켜 전하 캐리어가 접합을 가로 지르는 경로를 만듭니다.
역 바이어스 조건에서,배터리 극성은 반전된다. 배터리의 전위는 해당 지역에서 대부분의 전하 캐리어를 가져옵니다. 그것은 따라서 고갈 영역의 폭을 증가 떨어져 당겨 영역을 발생 합니다. 전하 캐리어는 고갈 영역을 통과 할 수 없습니다. 그러므로,다이오드는 반전 바이어스에서 지휘하지 않을 것입니다.
다이오드의 많은 유형이 있습니다 각 유형은 다른 신청을 위해 이용됩니다. 이러한 다이오드 중 일부는”발광 다이오드”,제너 다이오드,눈사태 다이오드,포토 다이오드,레이저 다이오드,버랙터,터널 다이오드 및 기본 핀 다이오드 등입니다.
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SCR(사이리스터)
SCR 또는 실리콘 정류기 구성원의 사이리스터 가족입니다. 그것은 일반적으로 사이리스터로 알려져 있습니다. 3 개의 맨끝을 비치하고 있 4 개의 층으로 만든 반도체에 의하여 통제된 단향성 스위치입니다. 그것은 그 이름에 의해 제안 된 제어 된 스위칭으로 교류를 직류로 변환합니다.이 단자에는 양극 및 음극 및 게이트의 3 개의 단자가 있습니다. 양극과 음극은 전류의 전도에 사용되는 주요 단자이고 게이트 단자는 제어 단자 트리거링 또는 소성에 사용됩니다.
반도체 소재와 엔형 반도체 재료의 교번층으로 이루어진 4 층 소자로,피엔씨네피 구조를 형성한다. 따라서 3 개의 접점이 있습니다. 양극 단자는 외부 피-영역 동안 음극 연결 외부 엔-영역. 는 동안 게이트와 연결되어 있는 중간 피-지역.
아래 그림은 사이리스터의 구조와 상징적 표현을 보여줍니다.
사이리스터는 순방향 차단,순방향 전도 및 역방향 차단 모드의 세 가지 모드로 작동합니다. 포워드 블로킹 모드에서는 게이트에서 트리거링 펄스없이 포워드 바이어스로 연결됩니다. 이 모드에서는 수행되지 않습니다.
역 차단 모드에서는 역 바이어스로 연결됩니다. 이 모드는 제어 신호가 있더라도 작동하지 않습니다.
순방향 전도 모드에서는 순방향 바이어스로 연결되어 게이트 단자에 트리거링 펄스를 적용하여 트리거됩니다. 전압이 그것의 고장 전압을 초과하는 경우에 앞으로 유도 또한 생깁니다 그러나 파괴적인 방법이고 장치를 손상할 수 있습니다.양극의 전위가 음극보다 높으면,끝의 두 접합부는 순방향 바이어스가 되고,중간 접합부는 도 1 에 도시된 바와 같이 역 바이어스가 된다. 역 바이어스 접합은 전류를 허용하지 않습니다. 게이트에 포지티브 전압 펄스를 적용하면 전류가 양극에서 음극으로 흐를 수 있는 경로를 만드는 정방향 바이어스의 접합부가 회전합니다.
순방향 전도 모드에있을 때 게이트 펄스를 제거하면 꺼지지 않습니다. 그러나 양극과 음극 사이의 전압은 전류가”유지 전류”한계 아래로 떨어지도록 내려야합니다. 이렇게 하면 전류 흐름을 차단하고 차단 모드로 전환됩니다.
사이리스터는 게이트 신호가 있는지 여부에 관계없이 스위치를 켰을 때 계속 켜짐을 의미하는 래칭 장치입니다. 그것은 단지 전도를 시작하는 순간 펄스가 필요합니다. 전도 상태를 깨려면 제로 크로싱이 필요합니다.
게이트 신호가 제거될 때 사이리스터가 전도를 멈추지 않기 때문에,명령에 따라 사이리스터를 끄려면 추가 회로가 필요하다.
주로 제어 정류 및 램프 디밍,레귤레이터 및 모터 제어와 같은 모든 부하에 공급되는 전력을 제어하는 데 사용됩니다.
그리고 그들은 다이오드에 비해 크기가 더 큽니다.
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다이오드와 사이리스터 사이의 주요 차이점
다음 비교 표는 다이오드와 사이리스터 사이의 주요 차이점을 보여줍니다.사이리스터.
| 다이오드 | ) |
| 그것은 교류를 직류로 변환하는 제어되지 않은 반도체 스위치입니다. | 교류를 직류로 변환하는 제어형 반도체 스위치이다. |
| 그것에는 2 개의 맨끝 양극과 음극이 있습니다. | 그것에는 3 개의 맨끝 양극,음극선 및 문이 있습니다. |
| 그것은 2 개의 반도체 층을 갖는다 피 과 엔. | 그것은 2 개의 피와 2 개의 엔 층을 갖는 4 개의 교류 반도체 층을 갖는다. |
| 그 구조는 다음과 같습니다. | |
| 그것은 1 피엔-교차점이 있습니다. | 3 피엔-접합부를 갖는다. |
| 전압이 0 을 초과하면 전도가 시작됩니다.4 볼트 게르마늄 0.7 볼트 실리콘 다이오드. | 게이트 펄스가 제공될 때 전도를 시작한다. |
| 그것은 낮은 작동 전압을 가지고 있습니다. | 그것은 높은 작동 전압. |
| 출력 전력은 제어 할 수 없습니다. | 출력 전력은 발사 각도를 변경하여 제어 할 수 있습니다. |
| 그것은 비교적 낮은 전력 등급을 가지고 있습니다. | 그것은 매우 높은 전력 등급. |
| 그것은 낮은 전력 손실을 가지고 있습니다. | 전력 손실이 더 큽니다. |
| 순방향 바이어스에서 전류를 차단할 수 없습니다. | 순방향 바이어스에서 전류를 차단할 수 있습니다. |
| 그것은 크기가 작습니다. | 크기가 더 큽니다. |
| 그것은 더 싸다. | 비싸다. |
| 다이오드는 클리핑,클램핑,정류,회로 보호,광원,센서 등 다양한 응용 분야에 사용됩니다. | 제어 정류,고전압 및 전력 응용 분야에서 전력 관리에 사용됩니다. |
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다이오드 특성 및 특성&사이리스터
다음과 같은 서로 다른 특성들은 서로 다른 특성과 용도를 갖는 다이오드와 사이리스터”사이리스터”를 구별한다.
구조
- 다이오드는 피 및 엔 형 반도체 재료의 두 층으로 만들어져 피엔 구조를 형성한다.
- 는 4 개의 교번 반도체층으로 이루어져 있으며,이 층들은 그 구조를 형성한다.
단자
- 다이오드에는 양극과 음극의 두 단자가 있습니다.
- 애노드,캐소드 및 게이트의 세 단자가 있습니다.
피엔 접합
- 다이오드는 하나의 피엔 접합만을 갖는다.
동작
- 다이오드는 게르마늄 또는 실리콘에 대해 전압이 각각 0.4 또는 0.7 볼트를 초과하면 한 방향으로 만 전도를 시작합니다.
- 포지티브 게이트 펄스가 제공될 때만 순방향 바이어스에서 전도를 시작한다.
순방향 차단
- 다이오드는 순방향 바이어스로 연결될 때 전류를 차단할 수 없습니다.
- 게이트 신호가 제공되지 않으면 순방향 바이어스에서 전류 흐름을 차단할 수 있습니다. 이 모드는 정방향 차단 모드로 알려져 있습니다.
정류
정류는 교류 교류를 직류로 변환하는 것이다.
- 다이오드는 제어되지 않은 정류 만 수행 할 수 있습니다.
- 짐에 힘이 통제될 수 있는 통제되는 개정을 실행할 수 있습니다.
전압 강하
- 게르마늄 또는 실리콘 다이오드를 가로 지르는 전압 강하는 각각 0.4 또는 0.7 볼트입니다.
- 전도 회로에 걸친 전압 강하는 약 1.5 볼트의 다이오드보다 높다.
전력 손실
- 다이오드 내부의 전력 손실은 매우 적습니다.
- 전력 손실이 더 큽니다.
전압 등급
- 다이오드는 하나의 접합부 만 있기 때문에 비교적 낮은 전압 애플리케이션에 사용됩니다.
- 매우 높은 전압을 처리할 수 있습니다.
전력 처리
- 전력 다이오드는 고출력 응용 분야에 사용되지만 다이오드에는 더 나은 전력 처리 기능이 없습니다.
- SCR 특별히 설계된 손잡이 매우 고전력 어플리케이션에 적합합니다.
응용
- 다이오드는 신호,승수,회로 보호,정류기,서지 방지기,센서 등의 클리핑 및 클램핑에 사용됩니다.
- 짐에 먹인 힘을 처리하기 위하여 통제되는 개정을 위해 주로 사용됩니다.
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